NMOS輸出功率管的低壓差穩(wěn)壓器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010578672.6 申請日 -
公開（公告）號 CN111665893B 公開（公告）日 2022-02-01
申請公布號 CN111665893B 申請公布日 2022-02-01
分類號 G05F1/56（2006.01）I 分類 控制；調(diào)節(jié);
發(fā)明人 羅可欣 申請（專利權(quán)）人 上海安路信息科技股份有限公司
代理機構(gòu) 上海恒銳佳知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 黃海霞
地址 200434 上海市虹口區(qū)紀(jì)念路500號5幢202室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種NMOS輸出功率管的低壓差穩(wěn)壓器，包括低壓差穩(wěn)壓單元和電流檢測單元，電流檢測單元包括第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和檢測放大器，所述第二NMOS管的漏極接輸入電壓，所述第二NMOS管的柵極與所述第一NMOS管的柵極連接，所述第二NMOS管的源極與所述檢測放大器的第一輸入端和所述第四NMOS管的漏極連接，所述檢測放大器的第二輸入端與所述第一NMOS管的源極連接，所述檢測放大器的輸出端與所述第三NMOS管和所述第四NMOS管的柵極連接，所述第三NMOS管和所述第四NMOS管的源極均接地。所述NMOS輸出功率管的低壓差穩(wěn)壓器中，能夠檢測出所述低壓差穩(wěn)壓單元的輸出電流大小，從而根據(jù)輸出電流的大小，改善所述低壓差穩(wěn)壓單元的負(fù)載調(diào)整率。