金剛石半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110357393.1 申請日 -
公開（公告）號 CN113089093A 公開（公告）日 2021-07-09
申請公布號 CN113089093A 申請公布日 2021-07-09
分類號 C30B28/14（2006.01）I;C30B29/04（2006.01）I;C23C16/27（2006.01）I;C23C16/511（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 張粉紅;李熙規(guī) 申請（專利權(quán)）人 化合積電（廈門）半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廈門加減專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 李強(qiáng)
地址 361000福建省廈門市軟件園三期誠毅北大街56號402-17室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種金剛石半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：在提供氫氣和甲烷的條件下，且在未加入催化氣體的條件下，采用微波等離子體化學(xué)氣相沉積法，在襯底上，進(jìn)行金剛石生長初始階段，以在襯底上生長第一多晶金剛石層；在提供氫氣和甲烷的條件下，且在加入催化氣體的條件下，繼續(xù)采用微波等離子體化學(xué)氣相沉積法，在第一多晶金剛石層上，進(jìn)行金剛石生長加速階段，以在第一多晶金剛石層上生長第二多晶金剛石層；對第二多晶金剛石層進(jìn)行匹配研磨。本發(fā)明從產(chǎn)業(yè)化的角度提供一種工藝效率高且產(chǎn)品質(zhì)量好的金剛石半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法。