一種CMOS集成源的太赫茲超外差正交探測陣列

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610897860.9 申請日 -
公開（公告）號 CN106450803B 公開（公告）日 2019-08-02
申請公布號 CN106450803B 申請公布日 2019-08-02
分類號 H01Q23/00（2006.01）I; H01L27/02（2006.01）I; G01J1/42（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐雷鈞; 管佳寧; 白雪; 仝福成 申請（專利權(quán)）人 南京礪行微電子科技有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 212013 江蘇省鎮(zhèn)江市京口區(qū)學府路301號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種CMOS集成源的太赫茲超外差正交探測陣列。該陣列基于CMOS固態(tài)電路超外差探測太赫茲波原理，建立全相位、全集成、高靈敏度的IQ混頻全相位探測機制和方法。探索有源分布式多相正交耦合變壓器理論及設(shè)計方法，構(gòu)建高靈敏度單片集成探測系統(tǒng)，并圍繞輻射環(huán)、正交耦合變壓器、混頻器、振蕩器等關(guān)鍵電路模塊在CMOS芯片中實現(xiàn)。探測器實現(xiàn)了片上集成源的2×2探測器陣列架構(gòu)，控制源從芯片背面輻射，探測器在芯片的正面接收信號，有效提高了源與探測器的隔離，解決了源與探測器之間的相互影響問題，并且該裝置能夠?qū)崿F(xiàn)0～360°全相位信息的獲取，實現(xiàn)被測物體的內(nèi)部構(gòu)造3D成像。