一種CMOS集成源的太赫茲超外差正交探測陣列

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201610897860.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN106450803A 公開（公告）日 2017-02-22
申請(qǐng)公布號(hào) CN106450803A 申請(qǐng)公布日 2017-02-22
分類號(hào) H01Q23/00(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;G01J1/42(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐雷鈞;管佳寧;白雪;仝福成 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 南京礪行微電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 212013 江蘇省鎮(zhèn)江市京口區(qū)學(xué)府路301號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種CMOS集成源的太赫茲超外差正交探測陣列。該陣列基于CMOS固態(tài)電路超外差探測太赫茲波原理，建立全相位、全集成、高靈敏度的IQ混頻全相位探測機(jī)制和方法。探索有源分布式多相正交耦合變壓器理論及設(shè)計(jì)方法，構(gòu)建高靈敏度單片集成探測系統(tǒng)，并圍繞輻射環(huán)、正交耦合變壓器、混頻器、振蕩器等關(guān)鍵電路模塊在CMOS芯片中實(shí)現(xiàn)。探測器實(shí)現(xiàn)了片上集成源的2×2探測器陣列架構(gòu)，控制源從芯片背面輻射，探測器在芯片的正面接收信號(hào)，有效提高了源與探測器的隔離，解決了源與探測器之間的相互影響問題，并且該裝置能夠?qū)崿F(xiàn)0～360°全相位信息的獲取，實(shí)現(xiàn)被測物體的內(nèi)部構(gòu)造3D成像。