一種溶液法制備三碘化銫錫薄膜的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210382413.1 申請日 -
公開（公告）號 CN103708534A 公開（公告）日 2014-04-09
申請公布號 CN103708534A 申請公布日 2014-04-09
分類號 C01G19/00(2006.01)I;C03C17/22(2006.01)I;C04B41/85(2006.01)I 分類 無機化學;
發(fā)明人 沈凱;陳琢;任宇航 申請（專利權）人 浙江尚頡投資管理有限公司
代理機構 北京市盛峰律師事務所 代理人 浙江尚頡光電科技有限公司;尚越光電科技股份有限公司
地址 311121 浙江省杭州市余杭區(qū)五常街道豐嶺路25號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種溶液法制備三碘化銫錫薄膜的方法，包括以下步驟：S11，制備CsI溶液，所述CsI溶液的濃度為5wt％至50wt％；S12，制備SnCl2溶液，所述SnCl2溶液的濃度為10wt％至80wt％；S13，將所述CsI溶液和所述SnCl2溶液混合，制備三碘化銫錫溶液；S14，將所述三碘化銫錫溶液滴涂到所述基底上；S15，加熱所述基底至干燥，在所述基底上形成三碘化銫錫薄膜。本發(fā)明滴涂法制備三碘化銫錫(CsSnI3)薄膜的方法，在玻璃、陶瓷和金屬箔等大面積基底上合成薄膜，不需要基于真空手段就能合成CsSnI3薄膜的方法，可顯著降低成本，使這種薄膜作為新的太陽能電池吸收材料將得到廣泛的應用。