一種超聲噴印法制備三碘化銫錫薄膜的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201210382798.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN103706539A 公開(kāi)（公告）日 2014-04-09
申請(qǐng)公布號(hào) CN103706539A 申請(qǐng)公布日 2014-04-09
分類號(hào) B05D1/02(2006.01)I;B05D1/36(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I 分類 一般噴射或霧化；對(duì)表面涂覆液體或其他流體的一般方法〔2〕;
發(fā)明人 沈凱;陳琢;任宇航 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 浙江尚頡投資管理有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京市盛峰律師事務(wù)所 代理人 浙江尚頡光電科技有限公司;尚越光電科技股份有限公司
地址 311121 浙江省杭州市余杭區(qū)五常街道豐嶺路25號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種超聲噴印法制備三碘化銫錫薄膜的方法，包括以下步驟：S11，配置CsI溶液，所述CsI溶液的濃度為5wt％至50wt％；S12，配置SnCl2溶液，所述SnCl2溶液的濃度為10wt％至80wt％；S13，利用超聲噴印系統(tǒng)將所述CsI溶液噴印到基底上；S14，利用超聲噴印系統(tǒng)將所述SnCl2溶液噴印到所述基底上；S15，加熱所述基底至干燥，在所述基底上形成三碘化銫錫薄膜。本發(fā)明超聲噴印法制備三碘化銫錫(CsSnI3)薄膜的方法，在玻璃、陶瓷和金屬箔等大面積基底上合成薄膜，不需要基于真空手段就能合成CsSnI3薄膜的方法，該合成或沉積方法是基于水基前驅(qū)體溶液的超聲噴印沉積，可顯著降低成本，使這種薄膜作為新的太陽(yáng)能電池吸收材料將得到廣泛的應(yīng)用。