一種碲化鎘發(fā)電玻璃AR膜鍍膜機(jī)及鍍制方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111561197.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113943919A 公開（公告）日 2022-01-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN113943919A 申請(qǐng)公布日 2022-01-18
分類號(hào) C23C14/06（2006.01）I;C23C14/08（2006.01）I;C23C14/24（2006.01）I;C23C14/54（2006.01）I;H01L31/0216（2014.01）I 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 楊歡;潘錦功;傅干華;孫慶華;呂延坤 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 邯鄲中建材光電材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都頂峰專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 胡慶波
地址 056000河北省邯鄲市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)和諧大街19號(hào)1號(hào)樓A座4層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于發(fā)電玻璃鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種碲化鎘發(fā)電玻璃AR膜鍍膜機(jī)，包括連接有第一抽真空裝置的AR膜鍍制腔室，所述AR膜鍍制腔室連通有至少一個(gè)MgF2靶材蒸發(fā)腔室、ZrO2/SiO2靶材蒸發(fā)腔室和Al2O3/TiO2靶材蒸發(fā)腔室，所述MgF2靶材蒸發(fā)腔室、ZrO2/SiO2靶材蒸發(fā)腔室和Al2O3/TiO2靶材蒸發(fā)腔室沿AR膜鍍制腔室內(nèi)發(fā)電玻璃的移動(dòng)方向依次設(shè)置；還公開了一種碲化鎘發(fā)電玻璃AR膜鍍膜方法。本發(fā)明可使得鍍制而成的AR膜具有更好的附著力、均勻性、增透效果和光電轉(zhuǎn)換效率，而且也提升了AR膜的使用壽命，同時(shí)碲化鎘發(fā)電玻璃的AR膜和碲化鎘薄膜均可在同一臺(tái)設(shè)備上鍍制，節(jié)約了設(shè)備的投入成本，也利用碲化鎘高溫鍍膜的特點(diǎn)，利用余熱鍍制AR膜，節(jié)約了資源。