一種厚度方向激勵(lì)剪切模式的聲學(xué)諧振器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202120532330.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN215072338U 公開（公告）日 2021-12-07
申請(qǐng)公布號(hào) CN215072338U 申請(qǐng)公布日 2021-12-07
分類號(hào) H03H9/17（2006.01）I;H03H9/02（2006.01）I;H03H3/02（2006.01）I;H03H9/09（2006.01）I 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 龔頌斌;呂若辰 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 偲百創(chuàng)（深圳）科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 虞凌霄
地址 518048廣東省深圳市福田區(qū)梅林街道梅都社區(qū)中康路136號(hào)深圳新一代產(chǎn)業(yè)園4棟15層1501-1503
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及一種厚度方向激勵(lì)剪切模式的聲學(xué)諧振器，包括：聲學(xué)鏡，包括至少一第一聲反射層和至少一第二聲反射層，各所述第一聲反射層的聲阻抗小于各所述第二聲反射層的聲阻抗；底電極層，位于所述聲學(xué)鏡上；壓電層，設(shè)于所述底電極層上，所述壓電層包括單晶材料的鈮酸鋰和/或單晶材料的鉭酸鋰；電極單元，設(shè)于所述壓電層上；橫向反射器，設(shè)于所述壓電層上，所述橫向反射器用于對(duì)聲波進(jìn)行橫向反射；其中，所述底電極層和電極單元用于形成電場(chǎng)。本實(shí)用新型可以在3GHz以上的頻率下具有高機(jī)電耦合系數(shù)和高Q值。