厚度方向激勵剪切模式的聲學諧振器
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110276005.7 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN114285390A | 公開(公告)日 | 2022-04-05 |
申請公布號 | CN114285390A | 申請公布日 | 2022-04-05 |
分類號 | H03H9/17(2006.01)I;H03H9/09(2006.01)I;H03H9/02(2006.01)I;H03H3/02(2006.01)I | 分類 | 基本電子電路; |
發(fā)明人 | 龔頌斌;呂若辰 | 申請(專利權)人 | 偲百創(chuàng)(深圳)科技有限公司 |
代理機構 | 華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 | 代理人 | 虞凌霄 |
地址 | 518048廣東省深圳市福田區(qū)梅林街道梅都社區(qū)中康路136號深圳新一代產(chǎn)業(yè)園4棟15層1501-1503 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及一種厚度方向激勵剪切模式的聲學諧振器,包括:聲學鏡,包括至少一第一聲反射層和至少一第二聲反射層,各所述第一聲反射層的聲阻抗小于各所述第二聲反射層的聲阻抗;底電極層,位于所述聲學鏡上;壓電層,設于所述底電極層上,所述壓電層包括單晶材料的鈮酸鋰和/或單晶材料的鉭酸鋰;電極單元,設于所述壓電層上;橫向反射器,設于所述壓電層上,包括位于所述電極單元的第一側的第一反射器和位于所述電極單元的第二側的第二反射器,所述橫向反射器用于對聲波進行橫向反射;其中,所述底電極層和電極單元用于形成電場。本發(fā)明可以在3GHz以上的頻率下具有高機電耦合系數(shù)和高Q值。 |
