單晶硅襯底多結(jié)太陽電池

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200910009001.1 申請日 -
公開（公告）號 CN101483202A 公開（公告）日 2009-07-15
申請公布號 CN101483202A 申請公布日 2009-07-15
分類號 H01L31/042(2006.01)I;H01L31/052(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 索拉安吉 申請（專利權(quán)）人 北京索拉安吉清潔能源科技有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 100032北京市西城區(qū)金融大街19號富凱大廈B座708B
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種基于單晶硅襯底的多結(jié)太陽電池，用于太陽能發(fā)電，特別適用于高效聚光太陽能發(fā)電系統(tǒng)。其特征在于，采用硅單晶片為襯底，利用金屬有機化學(xué)氣相沉積(MOCVD)或分子束外延(MBE)方法生長多結(jié)太陽電池材料。首先在硅單晶片上生長鍺硅合金過渡層，再依次外延生長鍺電池結(jié)構(gòu)、銦鎵砷電池結(jié)構(gòu)和銦鎵磷電池結(jié)構(gòu)。該發(fā)明以硅單晶片替代鍺單晶片和砷化鎵單晶片，可以大大降低多結(jié)太陽電池的成本，提高硅基太陽電池的轉(zhuǎn)換效率，加快太陽能發(fā)電的應(yīng)用和發(fā)展。