一種方形硅芯的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110611711.2 申請日 -
公開（公告）號 CN113355737A 公開（公告）日 2021-09-07
申請公布號 CN113355737A 申請公布日 2021-09-07
分類號 C30B15/00;C30B15/20;C30B29/06 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 李帥;吳海嘯;劉小明;武建華;邢瑞棟;邊雨 申請（專利權(quán)）人 內(nèi)蒙古和光新能源有限公司
代理機構(gòu) 北京精金石知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 宋秀蘭
地址 010000 內(nèi)蒙古自治區(qū)呼和浩特市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)沙爾沁工業(yè)區(qū)開放大街審圖中心主樓3007-2
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及硅芯的工藝技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種方形硅芯的制備方法。所述制備方法包括如下步驟：（1）投料；（2）熔化多晶硅原料；（3）引晶；（4）放肩；（5）轉(zhuǎn)肩；（6）等徑生長；（7）收尾；（8）停爐，開爐，切割，酸洗得方硅芯；其中，放肩步驟通過調(diào)節(jié)單晶爐通電功率和軟軸軸上提速度，將細晶直徑放肩到200㎜以上；等徑生長通過調(diào)節(jié)電功率，軟軸與坩堝的上升速度，拉晶電阻率分布更均勻的晶體棒。本發(fā)明通過對關(guān)鍵工藝參數(shù)的控制，縮短了拉晶時間，減少了坩堝與熔融硅液接觸的時間，有效減少硅晶液中雜質(zhì)的含量，有利于控制硅芯的電阻率。