一種芯片端口的抗雷擊檢測方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911414685.3 申請日 -
公開（公告）號 CN111103527B 公開（公告）日 2022-05-10
申請公布號 CN111103527B 申請公布日 2022-05-10
分類號 G01R31/28（2006.01）I;G01R31/12（2006.01）I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 郎靜;劉若曦;晁苗苗;李瀟;朱曉東;門萌萌 申請（專利權）人 西安翔騰微電子科技有限公司
代理機構 西安嘉思特知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 -
地址 710065陜西省西安市西安市高新一路25號創(chuàng)新大廈S303室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種芯片端口的抗雷擊檢測方法，包括：分別獲取待測芯片端口相對于電源端、接地端及剩余芯片端口的電流電壓曲線；對待測芯片端口進行雷電間接效應試驗；在雷電間接效應試驗后，再次獲取待測芯片端口相對于電源端、接地端及剩余芯片端口的電流電壓曲線；對待測芯片的性能和功能進行測試，獲得雷電間接效應試驗后待測芯片的性能參數(shù)和功能參數(shù)；對雷電間接效應試驗前后的電流電壓曲線進行對比，獲得曲線對比結果；根據(jù)性能參數(shù)、功能參數(shù)和曲線對比結果判斷待測芯片端口是否合格。本發(fā)明的芯片端口的抗雷擊檢測方法能夠在芯片經(jīng)受雷電間接效應試驗后且芯片功能和性能測試合格的情況下，檢測芯片端口的隱性損傷。