InP量子點(diǎn)及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610997228.1 申請日 -
公開（公告）號 CN106701059B 公開（公告）日 2019-07-02
申請公布號 CN106701059B 申請公布日 2019-07-02
分類號 C09K11/02（2006.01）I; C09K11/70（2006.01）I; B82Y20/00（2011.01）I; B82Y30/00（2011.01）I; B82Y40/00（2011.01）I 分類 染料；涂料；拋光劑；天然樹脂；黏合劑；其他類目不包含的組合物；其他類目不包含的材料的應(yīng)用;
發(fā)明人 高靜; 汪均; 陳昌磊; 涂麗眉; 趙飛; 蘇葉華 申請（專利權(quán)）人 浙江納晶科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 代理人 納晶科技股份有限公司
地址 310052 浙江省杭州市濱江區(qū)秋溢路500號1幢4樓405-407室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了InP量子點(diǎn)及其制備方法。該InP量子點(diǎn)包括：金屬鹽修飾的InP核，以及包裹在核上的殼層，殼層為ZnSe/ZnS或ZnSexS1?x，其中0＜x≤1，InP量子點(diǎn)的半峰寬小于等于50nm，量子效率大于等于70％。由于金屬鹽的修飾作用使得InP表面的懸掛鍵消除，能夠減少能量以非光學(xué)性質(zhì)的損耗，提高了具有該金屬鹽修飾的InP的量子點(diǎn)的熒光量子產(chǎn)率；另外，由于InP和ZnSe的晶格常數(shù)差距較小，因此使具有S和Se的殼層可以較為容易地包覆在InP核表面，進(jìn)而使得本申請的InP量子點(diǎn)具有較高的量子效率和穩(wěn)定性；同時(shí)，由于InP量子點(diǎn)的半峰寬小于等于50nm，可以得出量子點(diǎn)粒徑較為均一。