InP量子點(diǎn)及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610834922.1 申請日 -
公開（公告）號 CN106479482A 公開（公告）日 2017-03-08
申請公布號 CN106479482A 申請公布日 2017-03-08
分類號 C09K11/02(2006.01)I;C09K11/70(2006.01)I;C09K11/88(2006.01)I;B82Y20/00(2011.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 分類 染料；涂料；拋光劑；天然樹脂；黏合劑；其他類目不包含的組合物；其他類目不包含的材料的應(yīng)用;
發(fā)明人 喬培勝;汪均;涂麗眉;李光旭;高靜 申請（專利權(quán)）人 浙江納晶科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 代理人 納晶科技股份有限公司
地址 310052 浙江省杭州市濱江區(qū)秋溢路500號1幢4樓405-407室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了InP量子點(diǎn)及其制備方法。該制備方法包括：步驟S1，利用第一InP核和InP納米團(tuán)簇制備第二InP核；步驟S2，以第二InP核為核，使Zn前驅(qū)體、Se前驅(qū)體和可選的S前驅(qū)體通過外延生長法在第二InP核的表面形成包含ZnSexS1?x或者ZnSe/ZnS的殼層，得到InP/ZnSexS1?x量子點(diǎn)或者InP/ZnSe/ZnS量子點(diǎn)，0<x≤1。利用第一InP核和InP納米團(tuán)簇制備第二InP核使所得的第二InP核的顆粒尺寸更均一，半半峰寬變窄；所得到的InP量子點(diǎn)量子點(diǎn)殼層中同時(shí)含有Se元素和硫元素，使得殼層的包覆厚度及InP量子點(diǎn)的發(fā)光效率和穩(wěn)定性得到進(jìn)一步改善。