一種近紅外量子點(diǎn)及其制備方法和應(yīng)用

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201911057842.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110982530A 公開（公告）日 2020-04-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN110982530A 申請(qǐng)公布日 2020-04-10
分類號(hào) C09K11/88;B82Y20/00;B82Y40/00;H01L51/50;G01N21/64 分類 染料；涂料；拋光劑；天然樹脂；黏合劑；其他類目不包含的組合物；其他類目不包含的材料的應(yīng)用;
發(fā)明人 陳小朋;邵蕾 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 浙江納晶科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 寧波聚禾專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 納晶科技股份有限公司;浙江納晶科技有限公司
地址 310052 浙江省杭州市濱江區(qū)長(zhǎng)河街道秋溢路428號(hào)3幢3樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種近紅外量子點(diǎn)及其制備方法和應(yīng)用，其通過先提供量子點(diǎn)晶種生長(zhǎng)體系的原料，使得第一陽(yáng)離子前體、第一陰離子前體和第一配體混合反應(yīng)生成量子點(diǎn)晶種；再加入第二陰離子前體至所述量子點(diǎn)晶種生長(zhǎng)體系中，使得第二陰離子與第一陽(yáng)離子前體在量子點(diǎn)晶種上外延生長(zhǎng)，反應(yīng)生成合金化的量子點(diǎn)核；在量子點(diǎn)核表面包覆外殼層，生成近紅外量子點(diǎn)；從而合成高效率、高穩(wěn)定性的近紅外合金量子點(diǎn)，適用于量子點(diǎn)膜等光學(xué)/電學(xué)器件。