InP量子點(diǎn)及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201610834922.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN106479482B | 公開（公告）日 | 2018-11-06 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN106479482B | 申請(qǐng)公布日 | 2018-11-06 |
| 分類號(hào) | C09K11/02;C09K11/70;C09K11/88;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00 | 分類 | 染料；涂料；拋光劑；天然樹脂；黏合劑；其他類目不包含的組合物；其他類目不包含的材料的應(yīng)用; |
| 發(fā)明人 | 喬培勝;汪均;涂麗眉;李光旭;高靜 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 浙江納晶科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人 | 納晶科技股份有限公司 |
| 地址 | 310052 浙江省杭州市濱江區(qū)秋溢路500號(hào)1幢4樓405-407室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供了InP量子點(diǎn)及其制備方法。該制備方法包括：步驟S1，利用第一InP核和InP納米團(tuán)簇制備第二InP核；步驟S2，以第二InP核為核，使Zn前驅(qū)體、Se前驅(qū)體和可選的S前驅(qū)體通過(guò)外延生長(zhǎng)法在第二InP核的表面形成包含ZnSexS1?x或者ZnSe/ZnS的殼層，得到InP/ZnSexS1?x量子點(diǎn)或者InP/ZnSe/ZnS量子點(diǎn)，0 |
