量子點(diǎn)核、核殼型量子點(diǎn)、其制備方法、量子點(diǎn)發(fā)光器件及量子點(diǎn)組合物
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201911151340.3 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN112824479A | 公開(kāi)(公告)日 | 2021-05-21 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN112824479A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-05-21 |
分類號(hào) | C09K11/02;C09K11/70;C09K11/88;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00;H01L51/50 | 分類 | 染料;涂料;拋光劑;天然樹(shù)脂;黏合劑;其他類目不包含的組合物;其他類目不包含的材料的應(yīng)用; |
發(fā)明人 | 陳小朋;蘇葉華 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 浙江納晶科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人 | 張美月 |
地址 | 324004 浙江省衢州市柯城區(qū)高新片區(qū)海棠路12號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供了一種量子點(diǎn)核、核殼型量子點(diǎn)、其制備方法、量子點(diǎn)發(fā)光器件及量子點(diǎn)組合物。該制備方法包括:提供銦前體、磷前體和溶劑,加熱反應(yīng)得到含InP量子點(diǎn)核的溶液;將含InP量子點(diǎn)核的溶液、含Zn源的溶液、第一陰離子前體和長(zhǎng)鏈羧酸進(jìn)行反應(yīng),形成含表面改性的InP量子點(diǎn)核的溶液,第一陰離子前體中的第一陰離子包括Se,Zn源選自C原子數(shù)≤6的羧酸鋅,長(zhǎng)鏈羧酸的主鏈骨架碳原子數(shù)為10~22。通過(guò)上述方法能夠在消除InP量子點(diǎn)核表面懸鍵的同時(shí),在InP量子點(diǎn)核表面形成薄殼層包覆,從而可制得一類高穩(wěn)定性、高量子產(chǎn)率的InP量子點(diǎn)。 |
