合金量子點(diǎn)、其制備方法以及應(yīng)用

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201911273156.6 申請(qǐng)日 -
公開(公告)號(hào) CN112961668A 公開(公告)日 2021-06-15
申請(qǐng)公布號(hào) CN112961668A 申請(qǐng)公布日 2021-06-15
分類號(hào) C09K11/02;C09K11/88;B82Y20/00;B82Y40/00;H01L51/50 分類 染料;涂料;拋光劑;天然樹脂;黏合劑;其他類目不包含的組合物;其他類目不包含的材料的應(yīng)用;
發(fā)明人 周健海;邵蕾;蘇葉華 申請(qǐng)(專利權(quán))人 浙江納晶科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 寧波聚禾專利代理事務(wù)所(普通合伙) 代理人 糜婧;顧賽喜
地址 324004 浙江省衢州市柯城區(qū)高新片區(qū)海棠路12號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)公開了合金量子點(diǎn)、其制備方法以及應(yīng)用。該合金量子點(diǎn)的制備方法包括以下步驟:S1,提供含CdSeS量子點(diǎn)的第一溶液,CdSeS量子點(diǎn)的平均粒徑小于2nm;S2,將第一溶液、第一鋅前體、第一鎘前體、第一硒硫混合前體、第一溶劑混合進(jìn)行反應(yīng),反應(yīng)后得到含有CdZnSeS合金量子點(diǎn)的溶液。本申請(qǐng)?zhí)峁┑暮辖鹆孔狱c(diǎn)的制備方法解決了現(xiàn)有技術(shù)中合成CdZnSeS合金量子點(diǎn)時(shí),隨著反應(yīng)時(shí)間的進(jìn)行熒光量子產(chǎn)率先變高后變低、熒光半峰寬先變窄后變寬的問題,從而制得熒光量子產(chǎn)率高、熒光半峰寬窄的合金量子點(diǎn);本申請(qǐng)制得的合金量子點(diǎn)用于制備核殼量子點(diǎn)時(shí),有利于獲得單位吸光度鎘含量低、熒光量子產(chǎn)率高的核殼量子點(diǎn)。