一種低溫等離子體制備硅碳復合負極材料的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910811959.6 申請日 -
公開（公告）號 CN110504435B 公開（公告）日 2021-06-04
申請公布號 CN110504435B 申請公布日 2021-06-04
分類號 H01M4/36;H01M4/38;H01M4/48;H01M10/0525 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 許曉落;安靜;劉尚;吳浩;吳琪 申請（專利權）人 山西尚太鋰電科技有限公司
代理機構 北京細軟智谷知識產(chǎn)權代理有限責任公司 代理人 秦瓊
地址 052460 河北省石家莊市無極縣里城道鄉(xiāng)南沙公路西側
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種低溫等離子體制備硅碳復合負極材料的方法，包括以下步驟，制備納米硅復合體：將納米硅、硅烷偶聯(lián)劑、添加劑和催化劑加入有機溶劑中，混合攪拌均勻，經(jīng)過低溫等離子技術處理，超聲分散，化學氣相沉積及其表面改性得到硅碳復合負極材料。本發(fā)明的有益效果為：本發(fā)明通過將硅烷偶聯(lián)劑、催化劑經(jīng)低溫等離子體技術處理產(chǎn)生帶電粒子和活性成分作用于納米硅，而后經(jīng)過碳化、還原得到納米硅/一氧化硅復合材料，其復合材料具有比容量高、結構穩(wěn)定性強，一致性高等特性從而改善材料的循環(huán)性能。