一種基于TE偏振光斜入射模式的雙通道窄帶吸收體

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011222874.3 申請日 -
公開（公告）號 CN112684524B 公開（公告）日 2022-07-01
申請公布號 CN112684524B 申請公布日 2022-07-01
分類號 G02B5/00（2006.01）I 分類 光學;
發(fā)明人 陸曉元 申請（專利權(quán)）人 新鄉(xiāng)醫(yī)學院
代理機構(gòu) 鄭州聯(lián)科專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 453003河南省新鄉(xiāng)市金穗大道601號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明的目的是提供一種基于TE偏振光斜入射模式的雙通道窄帶吸收體，提供更高的靈敏度和綜合反應靈敏度的品質(zhì)因子，包括紅外石墨烯基窄帶吸收單元，紅外石墨烯基窄帶吸收單元包括從上到下位的電介質(zhì)層、緩沖電介質(zhì)層、石墨烯薄膜、高折射率納米腔超表面、金屬基底，所述高折射率納米腔超表面的上端面向下開設(shè)有孔，孔中填充與電介質(zhì)層相同的電介質(zhì)，由于該結(jié)構(gòu)的反射譜寬度0.5 nm，諧振位置吸收率高達97%，所以該結(jié)構(gòu)有助于設(shè)計高靈敏度折射率傳感器，其中，頂部電介質(zhì)層作為第一個通道，高折射率納米腔超表面的納米深孔陣列作為第二個通道，結(jié)果表明該傳感器的靈敏度可達500 nm/RIU，綜合反應靈敏度的品質(zhì)因子高達1000/RIU，優(yōu)于現(xiàn)有技術(shù)。