一種基于TE偏振光斜入射模式的雙通道窄帶吸收體
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011222874.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112684524B | 公開（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112684524B | 申請(qǐng)公布日 | 2022-07-01 |
| 分類號(hào) | G02B5/00（2006.01）I | 分類 | 光學(xué); |
| 發(fā)明人 | 陸曉元 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 新鄉(xiāng)醫(yī)學(xué)院 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 鄭州聯(lián)科專利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 453003河南省新鄉(xiāng)市金穗大道601號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明的目的是提供一種基于TE偏振光斜入射模式的雙通道窄帶吸收體，提供更高的靈敏度和綜合反應(yīng)靈敏度的品質(zhì)因子，包括紅外石墨烯基窄帶吸收單元，紅外石墨烯基窄帶吸收單元包括從上到下位的電介質(zhì)層、緩沖電介質(zhì)層、石墨烯薄膜、高折射率納米腔超表面、金屬基底，所述高折射率納米腔超表面的上端面向下開設(shè)有孔，孔中填充與電介質(zhì)層相同的電介質(zhì)，由于該結(jié)構(gòu)的反射譜寬度0.5 nm，諧振位置吸收率高達(dá)97%，所以該結(jié)構(gòu)有助于設(shè)計(jì)高靈敏度折射率傳感器，其中，頂部電介質(zhì)層作為第一個(gè)通道，高折射率納米腔超表面的納米深孔陣列作為第二個(gè)通道，結(jié)果表明該傳感器的靈敏度可達(dá)500 nm/RIU，綜合反應(yīng)靈敏度的品質(zhì)因子高達(dá)1000/RIU，優(yōu)于現(xiàn)有技術(shù)。 |
