一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010371271.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN111508851A 公開(kāi)（公告）日 2020-08-07
申請(qǐng)公布號(hào) CN111508851A 申請(qǐng)公布日 2020-08-07
分類號(hào) H01L21/50;H01L21/56;H01L23/29;H01L23/31;H01L23/552 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 侯新飛 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 芯瑞微（上海）電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京華際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 葉宇
地址 201306 上海市浦東新區(qū)中國(guó)（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)環(huán)湖西二路888號(hào)C樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提出的一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，包括以下步驟：在基板上設(shè)置多個(gè)半導(dǎo)體芯片，通過(guò)研磨或切割工藝使得每個(gè)所述半導(dǎo)體芯片的四個(gè)側(cè)面均為傾斜側(cè)面；在所述基板上依次形成電介層、第一銀納米線/銀納米顆粒復(fù)合層、第一封裝層、第二納米線/銀納米顆粒復(fù)合層、第二封裝層、第三納米線/銀納米顆粒復(fù)合層、第三封裝層、第四納米線/銀納米顆粒復(fù)合層以及第四封裝層，接著進(jìn)行熱壓合處理。