一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010371271.3 申請日 -
公開（公告）號 CN111508851B 公開（公告）日 2021-11-23
申請公布號 CN111508851B 申請公布日 2021-11-23
分類號 H01L21/50（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I;H01L23/29（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;H01L23/552（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 侯新飛 申請（專利權(quán)）人 芯瑞微（上海）電子科技有限公司
代理機構(gòu) 北京高航知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 王卓
地址 201306 上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿(mào)易試驗區(qū)臨港新片區(qū)環(huán)湖西二路888號C樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提出的一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，包括以下步驟：在基板上設(shè)置多個半導(dǎo)體芯片，通過研磨或切割工藝使得每個所述半導(dǎo)體芯片的四個側(cè)面均為傾斜側(cè)面；在所述基板上依次形成電介層、第一銀納米線/銀納米顆粒復(fù)合層、第一封裝層、第二納米線/銀納米顆粒復(fù)合層、第二封裝層、第三納米線/銀納米顆粒復(fù)合層、第三封裝層、第四納米線/銀納米顆粒復(fù)合層以及第四封裝層，接著進行熱壓合處理。