砷磷化鋁鎵銦發(fā)光二極管

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201621414656.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN206271744U 公開（公告）日 2017-06-20
申請(qǐng)公布號(hào) CN206271744U 申請(qǐng)公布日 2017-06-20
分類號(hào) H01L33/10(2010.01)I;H01L33/26(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 丁國建;劉佩;陳宇;張業(yè)民;羅惠英 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 天津中環(huán)新光科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 天津三元專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 代理人 天津中環(huán)新光科技有限公司
地址 300385 天津市西青區(qū)津港公路微電子工業(yè)區(qū)畢升道2號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種砷磷化鋁鎵銦發(fā)光二極管，設(shè)有：砷化鎵(GaAs)襯底，砷化鎵(GaAs)襯底上設(shè)有超晶格分布布拉格反射層(DBR)，分布布拉格反射層(DBR)上設(shè)有n型限制層，n型限制層上設(shè)有構(gòu)成發(fā)光二極管的核心發(fā)光區(qū)域的多量子阱有源層,多量子阱有源層上設(shè)有p型限制層，p型限制層上設(shè)有p型磷化鎵(GaP)窗口層，其中，分布布拉格反射層(DBR)是由砷化鋁(AlAs)和多層砷化鎵、砷化鋁(GaAs/AlAs)m超晶格結(jié)構(gòu)組成的[AlAs/(GaAs/AlAs)m]n周期性結(jié)構(gòu)。通過上述層結(jié)構(gòu)的相互連接構(gòu)成一發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型不僅大幅降低分布布拉格反射層的串電阻，改善了反射光譜的特性；而且，還改善了發(fā)光二極管的工作電壓，增加了光提取效率，提高了發(fā)光二極管的亮度和穩(wěn)定性。