具有外延表面粗化層的砷磷化鋁鎵銦發(fā)光二極管

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201320813652.8 申請日 -
公開（公告）號 CN203721755U 公開（公告）日 2014-07-16
申請公布號 CN203721755U 申請公布日 2014-07-16
分類號 H01L33/22(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 丁國建;宋京;張榮勤;羅惠英;王曉暉 申請（專利權(quán)）人 天津中環(huán)新光科技有限公司
代理機構(gòu) 天津三元專利商標代理有限責(zé)任公司 代理人 天津中環(huán)新光科技有限公司
地址 300385 天津市西青區(qū)津港公路微電子工業(yè)區(qū)畢升道2號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種具有外延表面粗化層的砷磷化鋁鎵銦發(fā)光二極管，設(shè)有：砷化鎵（GaAs）襯底，砷化鎵（GaAs）襯底上設(shè)有布拉格反射層，布拉格反射層上設(shè)有n型限制層，n型限制層上設(shè)有構(gòu)成發(fā)光二極管的核心發(fā)光區(qū)域的多量子阱有源區(qū),多量子阱有源區(qū)上設(shè)有p型限制層；p型限制層上設(shè)有p型磷化鎵（GaP）窗口層，其中，p型磷化鎵（GaP）窗口層上設(shè)有砷磷化鋁鎵（AlxGa1-x?AsyP1-y）表面粗化層；通過上述層結(jié)構(gòu)的相互連接構(gòu)成一發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)。本實用新型通過在外延階段，直接在磷化鎵（GaP）窗口層上繼續(xù)外延生長一薄層砷磷化鋁鎵（AlxGa1-x?AsyP1-y）；使生長出來的砷磷化鋁鎵（AlxGa1-x?AsyP1-y）薄層表面粗化；解決了在對外延片表面粗糙化的過程中，所造成的損傷問題；增加了光提取效率，提高了發(fā)光二極管的穩(wěn)定性和產(chǎn)品的良品率。