紅光發(fā)光二極管及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210214124.0 申請日 -
公開（公告）號 CN102751404A 公開（公告）日 2012-10-24
申請公布號 CN102751404A 申請公布日 2012-10-24
分類號 H01L33/10(2010.01)I;H01L33/30(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 賈海強(qiáng);陳弘;王曉暉;宋京;張榮勤;丁國建 申請（專利權(quán)）人 天津中環(huán)新光科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 天津三元專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 代理人 天津中環(huán)新光科技有限公司;中國科學(xué)院物理研究所
地址 300385 天津市西青區(qū)津港公路微電子工業(yè)區(qū)畢升道2號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種紅光發(fā)光二極管，包括：砷化鎵（GaAs）襯底，砷化鎵（GaAs）襯底上設(shè)有砷化鋁（AlAs）基底層，砷化鋁（AlAs）基底層上設(shè)有分布布拉格反射器；其中，分布布拉格反射器上設(shè)有n型限制層，n型限制層上設(shè)有構(gòu)成發(fā)光二極管的核心發(fā)光區(qū)域的多量子阱有源區(qū),?多量子阱有源區(qū)上設(shè)有p型限制層；p型限制層上設(shè)有P型窗口層以及P型蓋帽層，通過上述層結(jié)構(gòu)的相互連接構(gòu)成一紅光發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)。本發(fā)明會(huì)在磷化鋁鎵銦分布布拉格反射器和砷化鎵襯底之間形成空氣夾層，將透過布拉格反射器的光有效地反射出來，增加了光出射的效率；其腐蝕過程會(huì)對芯片的切割面進(jìn)行一次化學(xué)處理，將殘留于芯片切割面上的半導(dǎo)體殘?jiān)g掉，改善了發(fā)光二極管芯片的電流-電壓特性中的反向電流特性。