高亮度發(fā)光二極管及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210452575.8 申請日 -
公開（公告）號 CN103811607A 公開（公告）日 2014-05-21
申請公布號 CN103811607A 申請公布日 2014-05-21
分類號 H01L33/06(2010.01)I;H01L33/30(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 丁國建;陳弘;賈海強;王曉暉;宋京;張榮勤;羅惠英 申請（專利權）人 天津中環(huán)新光科技有限公司
代理機構 天津三元專利商標代理有限責任公司 代理人 天津中環(huán)新光科技有限公司;中國科學院物理研究所
地址 300385 天津市西青區(qū)津港公路微電子工業(yè)區(qū)畢升道2號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種高亮度發(fā)光二極管及制備方法，設有砷化鎵（GaAs）襯底，砷化鎵（GaAs）襯底上由下至上依次設有砷化鋁（AlAs）剝離層，n型限制層，構成發(fā)光二極管的核心發(fā)光區(qū)域的多量子阱有源區(qū),?p型限制層，作為永久襯底層的p型窗口層，通過上述層結構的相互連接構成一發(fā)光二極管結構。其中，n型限制層的底面上還設有高反射率金屬反射層；在金屬反射層的底面上設有n型電極，并形成一芯片；經切割后的芯片成為發(fā)光二極管（LED）所需的芯片。本發(fā)明采用直接外延生長一層磷化鎵（GaP）做為發(fā)光窗口層和永久襯底層的方式，用以取代現(xiàn)有金屬反射器工藝中二次襯底貼附（bonding）的步驟，不僅大大增加了光的提取效率、簡化了制作工藝，而且，還提高了發(fā)光二極管制作工藝的穩(wěn)定性和產品的良品率。