帶有高反射率金屬反射層的紅光發(fā)光二極管及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210452581.3 申請日 -
公開（公告）號 CN103811626A 公開（公告）日 2014-05-21
申請公布號 CN103811626A 申請公布日 2014-05-21
分類號 H01L33/46(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王曉暉;陳弘;賈海強;宋京;丁國建;張榮勤;羅惠英 申請（專利權(quán)）人 天津中環(huán)新光科技有限公司
代理機構(gòu) 天津三元專利商標代理有限責(zé)任公司 代理人 天津中環(huán)新光科技有限公司;中國科學(xué)院物理研究所
地址 300385 天津市西青區(qū)津港公路微電子工業(yè)區(qū)畢升道2號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種帶有高反射率金屬反射層的紅光發(fā)光二極管及制備方法，設(shè)有砷化鎵（GaAs）襯底，砷化鎵（GaAs）襯底上由下至上依次設(shè)有砷化鋁（AlAs）剝離層，n型限制層，構(gòu)成發(fā)光二極管的核心發(fā)光區(qū)域的多量子阱有源區(qū),?p型限制層，p型窗口層以及臨時p型蓋帽層，其中，該臨時p型蓋帽層將被腐蝕掉，并在p型窗口層的上面蒸鍍高反射率金屬反射層，然后，再在高反射率金屬反射層之上蒸鍍p型電極，并形成一芯片整體；經(jīng)切割后的芯片整體成為紅光發(fā)光二極管（LED）所需的芯片結(jié)構(gòu)。本發(fā)明在增加反射率的同時，避免了由分布布拉格反射器（DBR）帶來的發(fā)光二極管工作電壓升高的弊端，不僅可以將砷化鎵（GaAs）襯底徹底剝離掉，而且，使經(jīng)過重新處理后的砷化鎵（GaAs）襯底可以再次得到利用。