用于非晶硒薄膜的蒸發(fā)鍍膜機

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201320745620.9 申請日 -
公開（公告）號 CN203668497U 公開（公告）日 2014-06-25
申請公布號 CN203668497U 申請公布日 2014-06-25
分類號 C23C14/06(2006.01)I;C23C14/24(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 毛念新;嚴仲君;黃翔鄂;王新征 申請（專利權）人 上海嘉森真空科技有限公司
代理機構 上海申匯專利代理有限公司 代理人 金碎平
地址 201812 上海市嘉定區(qū)曹安路3652號6棟
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種用于非晶硒薄膜的蒸發(fā)鍍膜機，包括真空密封的鍍膜室，所述鍍膜室內設有蒸發(fā)源和基片，其中，所述鍍膜室的中間區(qū)域為鍍膜區(qū)，左右兩側為控溫區(qū)，所述蒸發(fā)源設置在鍍膜區(qū)內，所述鍍膜區(qū)和控溫區(qū)內設有導軌，所述基片的背面貼有銅背板并通過基片架固定在導軌上。本實用新型提供的用于非晶硒薄膜的蒸發(fā)鍍膜機，當基片溫度由于蒸鍍后升高且接近臨界安全溫度時，基片沿著導軌移動并停留在左端或右端控溫區(qū)降溫，在溫度降至安全溫度后再返回鍍膜區(qū)繼續(xù)鍍膜，直至厚度達到要求且溫度降至安全溫度后出料，從而保證鍍膜的均勻性，有效避免散熱不均勻或冷卻過快導致的基片損壞，提高產品合格率。