一種微波等離子輔助的濺射光學(xué)成膜方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202010021521.0 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN111074225A | 公開(公告)日 | 2020-04-28 |
申請公布號 | CN111074225A | 申請公布日 | 2020-04-28 |
分類號 | C23C14/35;C23C14/10;C23C14/08 | 分類 | 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面化學(xué)處理;金屬材料的擴散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
發(fā)明人 | 毛念新;黃翔鄂;嚴(yán)仲君 | 申請(專利權(quán))人 | 上海嘉森真空科技有限公司 |
代理機構(gòu) | 上海三方專利事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 吳瑋 |
地址 | 201801 上海市嘉定區(qū)博學(xué)南路1015弄9號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及濺射成膜技術(shù)領(lǐng)域,具體來說是一種微波等離子輔助的濺射光學(xué)成膜方法,在濺射過程中,通過固態(tài)微波源激勵等離子體實現(xiàn)膜層氧化,以提高膜層折射率的穩(wěn)定性。本發(fā)明優(yōu)選地采用工業(yè)微波頻率為2450MHz的固態(tài)微波源,相對于使用RF射頻激勵等離子體的方式其具有以下優(yōu)點:使用頻率提高很大,RF射頻頻率為13.56M Hz,而微波頻率為2450M Hz,使得氧氣在真空腔室內(nèi)活化的效率大大提高;不需要使用大功率射頻電源,或使用多個射頻氧化源,大幅降低設(shè)備成本;膜層折射率穩(wěn)定性大幅提高,鍍膜產(chǎn)品品質(zhì)、良品率提高;采用矩形諧振腔的設(shè)計,使諧振腔內(nèi)微波諧振腔模式數(shù)取得最大值,提高微波場的均勻性。 |
