MEMS硅橋膜結(jié)構(gòu)繼電器的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210469926.6 申請日 -
公開（公告）號 CN103000410B 公開（公告）日 2015-04-29
申請公布號 CN103000410B 申請公布日 2015-04-29
分類號 H01H11/00(2006.01)I;H01H59/00(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 阮勇;張高飛;常雙凱;馬波;尤政 申請（專利權(quán)）人 北京同方華創(chuàng)科技有限公司
代理機構(gòu) 北京思海天達知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 樓艮基
地址 100084 北京市海淀區(qū)清華園1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 MEMS橋膜結(jié)構(gòu)靜電驅(qū)動繼電器的制備方法屬于MEMS器件的設計制造領域，其特征在于：（1）該繼電器工藝采用絕緣體上硅SOI（Silicon?On?Insulator）與玻璃片（或硅片）鍵合的方式；（2）通過鍵合形成硅—玻璃或硅—硅整體結(jié)構(gòu)；（3）SOI片的頂層硅厚度決定了橋膜結(jié)構(gòu)中橋膜厚度。本繼電器橋膜結(jié)構(gòu)以體硅工藝為主，避免了表面硅工藝犧牲層釋放不徹底的問題，從而有效提高橋膜結(jié)構(gòu)質(zhì)量，在MEMS繼電器、開關(guān)、傳感器等方面有重要應用。