MEMS電磁繼電器
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN200710119273.8 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN100552855C | 公開(公告)日 | 2009-10-21 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN100552855C | 申請(qǐng)公布日 | 2009-10-21 |
分類號(hào) | H01H51/01(2006.01)I;H01H50/16(2006.01)I;H01H50/44(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 尤政;李慧娟;張高飛;楊建中 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 北京同方華創(chuàng)科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
地址 | 100084北京市100084信箱82分箱清華大學(xué)專利辦公室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | MEMS電磁繼電器,屬于繼電器技術(shù)和MEMS技術(shù)領(lǐng)域。為解決現(xiàn)有微電磁繼電器體積大、功耗高,不能適用微型自動(dòng)檢測(cè)儀器及微型航空航天器對(duì)小體積、智能化、低功耗電磁繼電器的需求,本發(fā)明公開了一種MEMS電磁繼電器,采用三層結(jié)構(gòu),自上而下依次是上層硅基底、下層硅基底、永磁體;上層硅基底中空,中間通過(guò)兩個(gè)扭梁支撐一個(gè)扭板形成扭擺結(jié)構(gòu),扭板最下層是活動(dòng)接觸電極;下層硅基底表面的凹槽中設(shè)有兩個(gè)平面螺旋線圈,在兩個(gè)平面螺旋線圈之上覆蓋有絕緣層,絕緣層上設(shè)有兩對(duì)固定接觸電極,每對(duì)固定接觸電極含有兩個(gè)相互間隔的獨(dú)立的固定接觸電極。本發(fā)明可以大規(guī)模陣列,并且可以與控制電路集成在同一基底上。 |
