生產(chǎn)硅單晶的直拉區(qū)熔法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN00105518.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN1267751A | 公開（公告）日 | 2000-09-27 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN1267751A | 申請(qǐng)公布日 | 2000-09-27 |
| 分類號(hào) | C30B15/00;C30B13/00 | 分類 | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 沈浩平;李翔;汪雨田;昝興利 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 天津市半導(dǎo)體材料廠 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 天津市電子儀表工業(yè)管理局專利代理事務(wù)所 | 代理人 | 杜文茹 |
| 地址 | 300161天津市河?xùn)|區(qū)張貴莊路152號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種生產(chǎn)硅單晶的直拉區(qū)熔法,是由直拉爐和區(qū)熔爐完成的,步驟如下:(1)將料裝入直拉爐抽真空充氬氣,(2)加熱化料熔接籽晶,(3)拉細(xì)頸,(4)放肩收肩,(5)等徑生長(zhǎng),(6)收尾,(7)降溫出爐,(8)對(duì)多晶棒定形加工清洗腐蝕,(9)裝入?yún)^(qū)熔爐抽真空充氬氣,(10)預(yù)熱化料熔接籽晶,(11)引晶拉細(xì)頸,(12)放肩等徑生長(zhǎng),(13)拉斷尾部,(14)降溫停爐晶體出爐。本發(fā)明克服了直拉硅中的高氧含量,生產(chǎn)的硅單晶氧含量為1016atm/cm3,熱穩(wěn)定性好,又克服了區(qū)熔法不能摻入特殊固態(tài)元素的不足,可摻入特殊固態(tài)元素,提高了區(qū)熔爐的產(chǎn)能,降低了生產(chǎn)成本縮短了生產(chǎn)周期。 |
