一種高度可調(diào)節(jié)聚焦環(huán)及等離子體刻蝕設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202121290748.1 申請日 -
公開（公告）號 CN214672496U 公開（公告）日 2021-11-09
申請公布號 CN214672496U 申請公布日 2021-11-09
分類號 H01J37/32（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李娜;韓大健;張懷東;胡冬冬;王海東;程實然;郭頌;許開東 申請（專利權(quán)）人 北京魯汶半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 薛晨光
地址 100176北京市大興區(qū)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)經(jīng)海二路28號4幢2層203
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開一種高度可調(diào)節(jié)聚焦環(huán)及等離子體刻蝕設(shè)備，該高度可調(diào)節(jié)聚焦環(huán)包括上聚焦環(huán)（41）和下聚焦環(huán)（42），該上、下聚焦環(huán)（42）之間配置有高度調(diào)節(jié)適配副（A），以調(diào)節(jié)上聚焦環(huán)（41）相對于下聚焦環(huán)（42）的高度；至少部分上聚焦環(huán)（41）位于下聚焦環(huán)（42）的上方，且該部分上聚焦環(huán)（41）的下表面與下聚焦環(huán)（42）的上表面之間配置有徑向阻隔適配副（B），并配置為：在高度調(diào)節(jié)的行程范圍內(nèi)，構(gòu)建聚焦環(huán)徑向內(nèi)外側(cè)的氣流阻隔。應(yīng)用本方案，可根據(jù)需要調(diào)節(jié)上聚焦環(huán)（41）上表面的高度，從而滿足不同使用工況的工藝需求，具有較好的可適應(yīng)性，并可獲得良好的晶圓工藝穩(wěn)定性。