晶圓切割方法及切割設(shè)備

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110600517.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113369677B 公開(kāi)（公告）日 2022-05-31
申請(qǐng)公布號(hào) CN113369677B 申請(qǐng)公布日 2022-05-31
分類(lèi)號(hào) H01L21/304（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I;H01L21/8252（2006.01）I;B23K26/02（2014.01）I;B23K26/046（2014.01）I;B23K26/06（2014.01）I;B23K26/38（2014.01）I;B23K26/60（2014.01）I 分類(lèi) 機(jī)床；不包含在其他類(lèi)目中的金屬加工;
發(fā)明人 詹蘇庚;王紅;吳迪;張震;彭立和;李志鵬 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 深圳賽意法微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州市越秀區(qū)哲力專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 518038廣東省深圳市福田區(qū)福保街道福田保稅區(qū)桃花路16號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)的晶圓切割方法，通過(guò)提供的晶圓切割設(shè)備實(shí)施，包括了S10預(yù)處理步驟、S20切割道中心定位步驟、S30第一激光裝置定位步驟、S40第一開(kāi)槽步驟、S50第二開(kāi)槽步驟、S60第三開(kāi)槽步驟、S70第二激光裝置定位步驟、S80激光槽開(kāi)槽步驟和S90切割步驟。通過(guò)采用單束窄激光分層次開(kāi)槽，從而形成激光槽，然后再進(jìn)行切割的工藝，有效解決了現(xiàn)有氮化鎵基晶圓切割工藝存在的容易導(dǎo)致芯片失效的問(wèn)題。