提高單晶硅品質(zhì)的熱場及方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911410265.8 申請日 -
公開（公告）號 CN110923807A 公開（公告）日 2021-06-08
申請公布號 CN110923807A 申請公布日 2021-06-08
分類號 C30B15/14;C30B29/06 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 閆廣寧;楊紅濤;董永見 申請（專利權(quán)）人 寧晉晶興電子材料有限公司
代理機構(gòu) 北京市萬慧達律師事務(wù)所 代理人 張一帆
地址 055550 河北省邢臺市寧晉縣高新技術(shù)開發(fā)區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種提高單晶硅品質(zhì)的熱場及方法。熱場包括石英坩堝以及同軸等徑設(shè)置的主加熱器和副加熱器，主加熱器相對于石英坩堝的中上部設(shè)置，由若干個等長的主加熱瓣環(huán)設(shè)而成；副加熱器相對于石英坩堝的下部設(shè)置，由若干個等長的副加熱瓣環(huán)設(shè)而成，主加熱器和副加熱器的表面還噴涂有用以避免碳揮發(fā)的耐高溫水基納米涂層。方法包括采用前述熱場生產(chǎn)單晶硅，包括清潔多晶硅料、清爐、裝料、化料、二次加料、引頸、放肩、等徑、收尾和提出的步驟。本發(fā)明提供的熱場可以減少熱對流，降低單晶硅中單晶氧元素等雜質(zhì)的含量，由該方法制得的單晶硅中氧、碳、金屬等雜質(zhì)含量少，用于生產(chǎn)電池片時，可以有效提高電池的效率，降低電池片的衰減。