用于半導(dǎo)體晶棒生長(zhǎng)的導(dǎo)流筒、生長(zhǎng)裝置及生長(zhǎng)方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110047576.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112877768A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-06-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112877768A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-06-01 |
| 分類號(hào) | C30B15/00;C30B15/20 | 分類 | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 夏秋良 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 新美光（蘇州）半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 劉建榮 |
| 地址 | 215000 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號(hào)蘇州納米城NW-20#107、108、109、110 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供了一種用于半導(dǎo)體晶棒生長(zhǎng)的導(dǎo)流筒、生長(zhǎng)裝置及生長(zhǎng)方法，涉及半導(dǎo)體材料制備技術(shù)領(lǐng)域。該導(dǎo)流筒由導(dǎo)流筒本體以及設(shè)置在所述導(dǎo)流筒本體外表面的硅涂層構(gòu)成，其中，主要由高純硅材料制成的硅涂層表面粗糙度較現(xiàn)有的碳化硅涂層有明顯降低，表面平整致密，對(duì)于光熱反射率較高，可減少導(dǎo)流筒對(duì)于光熱的吸收，降低光熱損失；同時(shí)硅的導(dǎo)熱系數(shù)明顯低于碳化硅的導(dǎo)熱系數(shù)，故在導(dǎo)流筒本體表面設(shè)置硅涂層，可有效減少在半導(dǎo)體晶棒拉制過(guò)程的熱量損失，有利于熱場(chǎng)內(nèi)溫度的保持，同時(shí)降低半導(dǎo)體晶棒生長(zhǎng)功率，達(dá)到了節(jié)能降耗的目的，可大幅度降低單晶拉制的生產(chǎn)成本。本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體晶棒生長(zhǎng)裝置，包括上述導(dǎo)流筒。 |
