長(zhǎng)晶爐內(nèi)監(jiān)測(cè)方法及長(zhǎng)晶爐
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910336795.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN110004492A | 公開（公告）日 | 2019-07-12 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN110004492A | 申請(qǐng)公布日 | 2019-07-12 |
| 分類號(hào) | C30B29/06;C30B15/20;G01D21/02 | 分類 | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 夏秋良;范雪峰 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 新美光（蘇州）半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 蘇州新美光納米科技有限公司;新美光（蘇州）半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 地址 | 215000 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號(hào)蘇州納米城NW-20#107、108、109、110 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種長(zhǎng)晶爐內(nèi)監(jiān)測(cè)方法及長(zhǎng)晶爐，該方法包括：接收影像設(shè)備在各窗口第一圖像數(shù)據(jù)、第二圖像數(shù)據(jù)和第三圖像數(shù)據(jù)；第一圖像數(shù)據(jù)為單晶硅棒的圖像數(shù)據(jù)；第二圖像數(shù)據(jù)為熔融多晶硅的圖像數(shù)據(jù)；第三圖像數(shù)據(jù)為坩堝的圖像數(shù)據(jù)；接收尺寸測(cè)量設(shè)備在各窗口采集的尺寸數(shù)據(jù)；尺寸數(shù)據(jù)包括：?jiǎn)尉Ч璋舻闹睆綌?shù)據(jù)；接收位移采集設(shè)備采集的拉晶線的位移數(shù)據(jù)；接收環(huán)境監(jiān)測(cè)設(shè)備在各窗口采集的環(huán)境信息；根據(jù)第一圖像數(shù)據(jù)、單晶硅棒的直徑數(shù)據(jù)和位移數(shù)據(jù)生成單晶硅棒的三維圖像；按照三維圖像上的各坐標(biāo)點(diǎn)與環(huán)境信息的映射關(guān)系，存放各坐標(biāo)點(diǎn)對(duì)應(yīng)的環(huán)境信息。可通過三維立體可視圖像觀測(cè)長(zhǎng)晶爐內(nèi)各個(gè)方位的情況，實(shí)現(xiàn)全面監(jiān)測(cè)。 |
