一種氮化硅陶瓷基板及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110053149.6 申請日 -
公開（公告）號 CN113233903A 公開（公告）日 2021-08-10
申請公布號 CN113233903A 申請公布日 2021-08-10
分類號 C04B35/596;C04B35/622;C04B35/645 分類 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕;
發(fā)明人 田鑫;徐濤;倪世軍;伊恒彬;奚克波;常艷杰 申請（專利權(quán)）人 遼寧伊菲科技股份有限公司
代理機構(gòu) 安徽中辰臻遠專利代理事務所（普通合伙） 代理人 李田
地址 125208 遼寧省葫蘆島市戴河新區(qū)A區(qū)燕山路東段11號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種氮化硅陶瓷基板及其制備方法，包括步驟：S1、在氮化硅底料中按照第一預設重量的比例加入配料及助燒劑形成混合底料；S2、按照第二預設重量的比例加溶劑并同時進行球磨混合；S3、將球磨后的材料在模具中進行壓制成型；S4、將壓制成型后的材料進行燒結(jié)得到氮化硅陶瓷基板。具有熱導率高，與單晶Si相近的熱膨脹系數(shù)、電絕緣及機械性能良好。較突出特點是氮化硅基板的厚度可以做到0.28?0.34mm，并且彎曲強度較高，機械性能好，不易折斷變形，基板尺寸邊長32?200mm。