一種防止氮化硅集成電路板釬焊分層的原料制備方法和設(shè)備

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111557579.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114105668A 公開(kāi)（公告）日 2022-03-01
申請(qǐng)公布號(hào) CN114105668A 申請(qǐng)公布日 2022-03-01
分類號(hào) C04B37/00（2006.01）I;C04B41/91（2006.01）I 分類 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕;
發(fā)明人 田鑫;徐濤;伊恒彬;張瑩;王婷婷;常艷杰 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 遼寧伊菲科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 安徽中辰臻遠(yuǎn)專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 劉朝琴
地址 125208遼寧省葫蘆島市東戴河新區(qū)A區(qū)燕山路東段11號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種防止氮化硅集成電路板釬焊分層的原料制備方法和設(shè)備，涉及電路板釬焊技術(shù)領(lǐng)域，主要解決現(xiàn)有的釬焊原材料對(duì)氮化硅陶瓷基板的電路板進(jìn)行釬焊后容易因?yàn)槭軣岚l(fā)生釬焊虛焊分層的問(wèn)題；本發(fā)明主要是通過(guò)對(duì)釬焊原料的改良添加了活性元素Zr，它能夠與被連接的陶瓷發(fā)生反應(yīng)，實(shí)現(xiàn)對(duì)陶瓷的潤(rùn)濕，添加了B4C的陶瓷顆粒可降低釬料的熱膨脹系數(shù)，與陶瓷基板的熱膨脹系數(shù)更加匹配，潤(rùn)濕作用更好。對(duì)氮化硅陶瓷基板進(jìn)行物理紋路添加，提高了接觸面積，更好的提高膠結(jié)表面的結(jié)合力，保證釬焊后的電路板在受熱狀態(tài)下大大降低發(fā)生釬焊分層的概率。