直流磁控濺射法制備銀、石墨/聚四氟乙烯復(fù)合電磁屏蔽膜層的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110965325.3 申請日 -
公開（公告）號 CN113416937B 公開（公告）日 2021-11-09
申請公布號 CN113416937B 申請公布日 2021-11-09
分類號 C23C14/35（2006.01）I;C23C14/06（2006.01）I;C23C14/02（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 楊紅娜;蔡風(fēng)園;修建 申請（專利權(quán)）人 北京航天和興科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 天津市鼎拓知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 朱麗麗
地址 300300 天津市東麗區(qū)開發(fā)區(qū)四緯路26號院內(nèi)1號廠房B區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請涉及一種直流磁控濺射法制備銀、石墨/聚四氟乙烯復(fù)合電磁屏蔽膜層的方法。將Ag顆粒和石墨粉末分散至PTFE中使得靶材具備導(dǎo)電性能，能夠應(yīng)用于直流濺射方法制備，避免了傳統(tǒng)絕緣靶材采用射頻濺射帶來的成膜效率低、設(shè)備復(fù)雜等缺點。制備得到PTFE膜層能夠降低鋁蒙皮表面的表面能以達(dá)到疏水的目的，此外添加Ag粉末和石墨粉末后的PTFE靶材在濺射過程中Ag和石墨會在PTFE膜中形成Ag納米顆粒和石墨納米顆粒，納米顆粒均勻分散在PTFE膜層中使得最終得到的PTFE表面呈現(xiàn)納米級疏水結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步提高疏水性能。石墨粉末與Ag粉末經(jīng)過濺射后以納米級顆粒的形式分散在PTFE膜層中，會對入射至膜層的電磁波產(chǎn)生反射次數(shù)，電磁屏蔽效能增強(qiáng)。