一種基于銅摻雜硫化鎘納米線的光電傳感器及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910328691.0 申請日 -
公開（公告）號 CN110047973B 公開（公告）日 2020-05-01
申請公布號 CN110047973B 申請公布日 2020-05-01
分類號 H01L31/18;H01L21/02;H01L31/0296;H01L31/09;B82Y30/00;B82Y40/00;C01G11/02 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 范佳旭 申請（專利權(quán)）人 北京蜃景光電科技有限公司
代理機構(gòu) 北京航智知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 代理人 黃川;史繼穎
地址 118000 遼寧省丹東市振興區(qū)五經(jīng)街39號2單元305室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于銅摻雜硫化鎘納米線的光電傳感器及其制備方法，包括將襯底材料清洗，氮氣吹干，放置掩膜，在真空腔中用電子束蒸發(fā)的方法沉積先后沉積Ti膜和Au膜；用UV激光打標機在Au/Ti膜上沿設定的方波狀路線燒蝕劃刻溝槽，構(gòu)建指叉狀電極；將襯底放入氣相生長設備中，利用Au作為催化劑，通過高溫氣相生長法制備Cu摻雜的CdS納米線，根據(jù)摻雜原料的填充量，摻雜入CdS中的Cu原子百分比可在0?7％之間調(diào)控，納米線在溝槽上部相互搭疊橋連，形成光電傳感單元，本發(fā)明的光電傳感器具有晶體缺陷少、無表面污染、且電流按照一維路徑傳輸?shù)奶攸c，所用的氣相生長設備實現(xiàn)了納米線蒸氣的高效生長。