一種基于銅摻雜硫化鎘納米線的光電傳感器及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910328691.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN110047973A | 公開（公告）日 | 2019-07-23 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN110047973A | 申請(qǐng)公布日 | 2019-07-23 |
| 分類號(hào) | H01L31/18;H01L21/02;H01L31/0296;H01L31/09;B82Y30/00;B82Y40/00;C01G11/02 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 范佳旭 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 北京蜃景光電科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京航智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 墨偉;程連貞 |
| 地址 | 100200 北京市海淀區(qū)花園北路14號(hào)環(huán)星大廈E座105 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種基于銅摻雜硫化鎘納米線的光電傳感器及其制備方法，包括將襯底材料清洗，氮?dú)獯蹈?，放置掩膜，在真空腔中用電子束蒸發(fā)的方法沉積先后沉積Ti膜和Au膜；用UV激光打標(biāo)機(jī)在Au/Ti膜上沿設(shè)定的方波狀路線燒蝕劃刻溝槽，構(gòu)建指叉狀電極；將襯底放入氣相生長(zhǎng)設(shè)備中，利用Au作為催化劑，通過高溫氣相生長(zhǎng)法制備Cu摻雜的CdS納米線，根據(jù)摻雜原料的填充量，摻雜入CdS中的Cu原子百分比可在0?7％之間調(diào)控，納米線在溝槽上部相互搭疊橋連，形成光電傳感單元，本發(fā)明的光電傳感器具有晶體缺陷少、無表面污染、且電流按照一維路徑傳輸?shù)奶攸c(diǎn)，所用的氣相生長(zhǎng)設(shè)備實(shí)現(xiàn)了納米線蒸氣的高效生長(zhǎng)。 |
