薄膜沉積裝置及系統(tǒng)
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201821225981.X | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN209178473U | 公開(公告)日 | 2019-07-30 |
申請公布號 | CN209178473U | 申請公布日 | 2019-07-30 |
分類號 | C23C16/27(2006.01)I | 分類 | 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面化學(xué)處理;金屬材料的擴(kuò)散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
發(fā)明人 | 劉金章; 楊欣澤 | 申請(專利權(quán))人 | 北京蜃景光電科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京超凡志成知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 黃彩榮 |
地址 | 100000 北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街甲38號1號樓B座16層089號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實用新型公開了薄膜沉積裝置及系統(tǒng),涉及薄膜沉積技術(shù)領(lǐng)域。本實用新型提供的薄膜沉積裝置包括水平底座、沉積組件、加熱組件、混氣組件及抽真空組件。沉積組件包括沉積室、支架、基片臺、襯底及升降機(jī)構(gòu),升降機(jī)構(gòu)使沉積室升降,沉積室能夠與水平底座密封連接并圍成密封的沉積空間。沉積室設(shè)置有第一進(jìn)氣口和第二進(jìn)氣口,混氣組件與第一進(jìn)氣口密封連接,抽真空組件與第二進(jìn)氣口密封連接。加熱組件包括均位于沉積空間內(nèi)的電熱絲和二導(dǎo)電支撐柱。本實用新型還提供一種包括薄膜沉積裝置的薄膜沉積系統(tǒng)。本實用新型提供的薄膜沉積裝置及系統(tǒng)裝配方便,具有良好的沉積速度和均勻性,能夠保證金剛石薄膜產(chǎn)品的質(zhì)量,也能夠保證電熱絲的使用壽命。 |
