大功率方片可控硅封裝結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201310724868.1 申請(qǐng)日 -
公開(公告)號(hào) CN103646927B 公開(公告)日 2016-02-24
申請(qǐng)公布號(hào) CN103646927B 申請(qǐng)公布日 2016-02-24
分類號(hào) H01L23/31(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 許志峰 申請(qǐng)(專利權(quán))人 北京弘高創(chuàng)意建筑設(shè)計(jì)股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京天華專利代理有限責(zé)任公司 代理人 江蘇東晨電子科技有限公司
地址 214205 江蘇省無(wú)錫市宜興新街百合工業(yè)園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種大功率方片可控硅封裝結(jié)構(gòu),它包括從上至下依次設(shè)置的上鉬片(7)、第三焊料層(6)、芯片(5)、第二焊料層(4)、下鉬片(3)和第一焊料層(2),前述上鉬片(7)、第三焊料層(6)、芯片(5)、第二焊料層(4)、下鉬片(3)和第一焊料層(2)均置于硅膠框(8)內(nèi),芯片(5)的兩端插入硅膠框(8)內(nèi)部,硅膠框(8)外部安裝有導(dǎo)電外殼(1),所述的導(dǎo)電外殼(1)為頂部敞開,其余三面封閉的半包圍結(jié)構(gòu),所述的導(dǎo)電外殼(1)的底部焊接在該大功率方片可控硅需要安裝的位置。本發(fā)明使用時(shí),裝配操作簡(jiǎn)易,相比于傳統(tǒng)封裝形式不良率降低一個(gè)數(shù)量級(jí)。