超低電容固體放電管

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201320854955.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN203644786U 公開(kāi)（公告）日 2014-06-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN203644786U 申請(qǐng)公布日 2014-06-11
分類號(hào) H01L29/74(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 倪俠 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京弘高創(chuàng)意建筑設(shè)計(jì)股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京天華專利代理有限責(zé)任公司 代理人 江蘇東光微電子股份有限公司;江蘇東晨電子科技有限公司
地址 214205 江蘇省無(wú)錫市宜興新街百合工業(yè)園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種超低電容固體放電管，它包括上下兩個(gè)硼基區(qū)P，在上下兩個(gè)硼基區(qū)P內(nèi)分別布置四個(gè)磷擴(kuò)散區(qū)N+，形成元胞式陰極。本實(shí)用新型的上下兩個(gè)硼基區(qū)P的外側(cè)均設(shè)有金屬層；在上下兩個(gè)硼基區(qū)P內(nèi)的磷擴(kuò)散區(qū)N+等距分布；磷擴(kuò)散區(qū)N+的結(jié)深為25~30μm；在上下兩個(gè)硼基區(qū)P的結(jié)深均為10~15μm。本實(shí)用新型在原低電容結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)基礎(chǔ)上，將陰極調(diào)整為元胞式分布，提高每個(gè)元胞陰極的熱沉周長(zhǎng)，從而在相同芯片面積的基礎(chǔ)上增加通流能力?；谠撛O(shè)計(jì)，原芯片面積可進(jìn)行縮減，進(jìn)而減小PN結(jié)面積，降低結(jié)電容。