ESD保護的功率MOSFET和IGBT

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201020648105.5 申請日 -
公開（公告）號 CN202534648U 公開（公告）日 2012-11-14
申請公布號 CN202534648U 申請公布日 2012-11-14
分類號 H01L27/02(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 錢夢亮;陳俊標(biāo) 申請（專利權(quán)）人 北京弘高創(chuàng)意建筑設(shè)計股份有限公司
代理機構(gòu) 宜興市天宇知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 江蘇東光微電子股份有限公司;江蘇東晨電子科技有限公司;宜興市東晨電子科技有限公司
地址 214204 江蘇省無錫市宜興市新街百合工業(yè)園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型是對具有ESD保護功率MOSFET和IGBT改進，ESD保護單元由多晶硅二極管組及下方N-外延層中體硅二極管組成的雙重保護結(jié)構(gòu)，所說多晶硅二極管組中各P型區(qū)及N型區(qū)濃度，分別與功率MOSFET和IGBT的P阱濃度及N+源相同，構(gòu)成P-/N+多晶硅二極管組，所說體硅二極管由N+/P-區(qū)/P+結(jié)構(gòu)組成。使得ESD保護具有雙重結(jié)構(gòu)，相同面積下增加了ESD泄放通道，ESD泄放能力更強，芯片利用率提高，以及可使二極管個數(shù)增加泄漏電流降低，較好協(xié)調(diào)了ESD保護效果與柵源間泄漏電流關(guān)系。此結(jié)構(gòu)還可以使其成為與功率MOSFET和IGBT的P阱與N+源為同一制造層，可以通過同一道離子注入工序完成，不需要額外工序，使得制造工藝簡化，成本降低。