大功率方片可控硅封裝結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201320861456.8 申請日 -
公開（公告）號 CN203644755U 公開（公告）日 2014-06-11
申請公布號 CN203644755U 申請公布日 2014-06-11
分類號 H01L23/31(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 許志峰 申請（專利權(quán)）人 北京弘高創(chuàng)意建筑設(shè)計股份有限公司
代理機構(gòu) 南京天華專利代理有限責任公司 代理人 江蘇東光微電子股份有限公司;江蘇東晨電子科技有限公司
地址 214205 江蘇省無錫市宜興新街百合工業(yè)園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種大功率方片可控硅封裝結(jié)構(gòu)，它包括從上至下依次設(shè)置的上鉬片（7）、第三焊料層（6）、芯片（5）、第二焊料層（4）、下鉬片（3）和第一焊料層（2），前述上鉬片（7）、第三焊料層（6）、芯片（5）、第二焊料層（4）、下鉬片（3）和第一焊料層（2）均置于硅膠框（8）內(nèi)，芯片（5）的兩端插入硅膠框（8）內(nèi)部，硅膠框（8）外部安裝有導(dǎo)電外殼（1），所述的導(dǎo)電外殼（1）為頂部敞開，其余三面封閉的半包圍結(jié)構(gòu)，所述的導(dǎo)電外殼（1）的底部焊接在該大功率方片可控硅需要安裝的位置。本實用新型使用時，裝配操作簡易，相比于傳統(tǒng)封裝形式不良率降低一個數(shù)量級。