一種用于生長大表面帶狀硅的引晶拉制方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010062746.0 申請日 -
公開（公告）號 CN111172588A 公開（公告）日 2020-05-19
申請公布號 CN111172588A 申請公布日 2020-05-19
分類號 C30B28/10;C30B29/06 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 葛文星;趙建;雍兵 申請（專利權(quán)）人 江蘇雙良新能源裝備有限公司
代理機(jī)構(gòu) 江陰市揚(yáng)子專利代理事務(wù)所(普通合伙) 代理人 江蘇雙良新能源裝備有限公司
地址 214444 江蘇省無錫市江陰市臨港街道西利路115號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種用于生長大表面帶狀硅的引晶拉制方法，具體為：固定在軟軸或硬軸下端的籽晶與多晶硅材料熔化得到的硅溶液接觸，利用毛細(xì)作用引拉出一層與接觸面等距的實(shí)體硅；實(shí)體硅脫離硅液溫度下降逐步凝固成固體形成狹長地帶，繼續(xù)通過利用軟軸或硬軸驅(qū)動向上持續(xù)凝固固體，形成與模具相同的大表面帶狀硅；生長結(jié)束后取出生長的帶狀硅，簡單切除籽晶和帶狀硅產(chǎn)品中間的狹長硅帶。本發(fā)明的用于生長大表面帶狀硅的引晶拉制方法，通過簡單切除引晶時(shí)狹長硅帶即可實(shí)現(xiàn)小接觸面積的籽晶與帶狀硅產(chǎn)品分離，同時(shí)小接觸面積的籽晶仍可繼續(xù)使用，提高生產(chǎn)效率、節(jié)約生產(chǎn)成本。