一種薄膜沉積工藝控制系統(tǒng)
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201822206910.1 | 申請日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN209854239U | 公開(公告)日 | 2019-12-27 |
申請公布號(hào) | CN209854239U | 申請公布日 | 2019-12-27 |
分類號(hào) | C23C14/34(2006.01); C23C14/54(2006.01) | 分類 | 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面化學(xué)處理;金屬材料的擴(kuò)散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
發(fā)明人 | 張曉軍 | 申請(專利權(quán))人 | 深圳市矩陣多元科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 深圳市華優(yōu)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 余薇 |
地址 | 518000 廣東省深圳市福田區(qū)福田街道圩鎮(zhèn)社區(qū)福田路24號(hào)海岸環(huán)慶大廈24層2401Ⅰ | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實(shí)用新型涉及薄膜制造技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種薄膜沉積工藝控制系統(tǒng),用于薄膜沉積的工藝控制,所述薄膜沉積裝置包括激光器、真空腔,靶材模塊以及基片加熱組件,所述測試系統(tǒng)包括:厚度測試模塊以及與所述厚度測試模塊信號(hào)連接的計(jì)算機(jī)設(shè)備;所述厚度測試模塊包括設(shè)置在所述真空腔內(nèi)的晶振測試組件以及與所述晶振測試組件傳動(dòng)連接的水平驅(qū)動(dòng)裝置,所述水平驅(qū)動(dòng)裝置用于驅(qū)動(dòng)所述晶振測試組件在所述真空腔內(nèi)預(yù)設(shè)的測試網(wǎng)格中水平移動(dòng),所述晶振測試組件用于測試每個(gè)網(wǎng)格點(diǎn)的薄膜生長厚度,所述測試網(wǎng)格位于薄膜生長平面上。本實(shí)用新型能提高薄膜生長效率,使得大面積薄膜沉積的可控性和重復(fù)性提供保障。 |
